Molecular beam epitaksy, ili MBE, nova je tehnika za uzgoj visokokvalitetnih tankih filmova kristala na kristalnim supstratima.U uslovima ultra-visokog vakuuma, peć za grijanje je opremljena svim vrstama potrebnih komponenti i stvara paru, kroz rupe nastale nakon kolimiranja atomskog ili molekularnog snopa, direktno ubrizgavanje na odgovarajuću temperaturu monokristalne podloge, kontrolirajući molekularni snop do istovremeno skenirajući supstrat, može napraviti molekule ili atome u slojevima poravnanja kristala da formiraju tanak film na supstratu "rast".

Za normalan rad MBE opreme, potreban je tečni azot visoke čistoće, niskog pritiska i ultra-čistog da se kontinuirano i stabilno transportuje u rashladnu komoru opreme.Generalno, rezervoar koji obezbeđuje tečni azot ima izlazni pritisak između 0,3MPa i 0,8MPa. Tečni azot na -196℃ se lako isparava u azot tokom transporta cevovodom.Kada se tečni dušik s omjerom plin-tečnost od oko 1:700 gasificira u cjevovodu, on će zauzeti veliku količinu prostora za protok tekućeg dušika i smanjiti normalni protok na kraju cjevovoda za tekući dušik.Pored toga, u rezervoaru za skladištenje tečnog azota verovatno će biti ostataka koji nisu očišćeni.U cevovodu za tečni azot, postojanje vlažnog vazduha će takođe dovesti do stvaranja ledene šljake.Ako se ove nečistoće ispuštaju u opremu, to će uzrokovati nepredvidljiva oštećenja opreme.

Stoga se tečni dušik u vanjskom spremniku transportira do MBE opreme u radionici bez prašine sa visokom efikasnošću, stabilnošću i čistoćom, a niskim pritiskom, bez azota, bez nečistoća, 24 sata neprekidno, takav sistem kontrole transporta je kvalifikovani proizvod.